這是因為當CO2濃度高時，GSE200通用型等離子刻蝕機體系中的活性氧過多，它們與CH4分子相互作用產(chǎn)生氧化產(chǎn)物，并與產(chǎn)生的C2烴產(chǎn)物相互作用轉(zhuǎn)化C2H6，這是為了促進它。將 C2H4 和 C2H2 轉(zhuǎn)化為氧化產(chǎn)物。 CO 產(chǎn)率隨著 CO2 濃度的增加而增加，當 CO2 濃度超過 50% 時達到一個恒定值。同時，隨著系統(tǒng)中 CO2 濃度從 15% 增加到 85%，產(chǎn)品中 H2 與 CO 的摩爾比從 3.5 下降到 0.6。

當物質(zhì)從低能聚集態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦吣芫奂瘧B(tài)時，GSE200通用型等離子刻蝕機能量由外界供給（加熱、電場、輻射等），從固體轉(zhuǎn)變時，每個粒子需要0.01E變成液體或從液體變成氣體V能（1EV=1.6022×10-19焦耳），當氣體從外界吸收更多能量時，分子的熱運動變強，分子解離成原子，充分得到原子中的電子。與電子分離并成為自由電子的能量。氣體被電離，電離氣體中含有大量的電子、離子和一些中性粒子（原子和分子）。

這種結(jié)構(gòu)就是護套層，GSE200通用型等離子刻蝕機可以是上面的電容器。電容器處于放電環(huán)境中，電荷存儲在表面上，從而產(chǎn)生電場。電場必須對應(yīng)于電壓。由于平衡，也就是這個電場，和電壓是動態(tài)的靜電場，也就是直流電場和直流電壓，就形成了一個VDC。腔室的內(nèi)壁接地，形成的偏置場阻擋電子，因此這個 VDC 在接地的內(nèi)壁上具有負值或負偏置。施加到電極上的負偏壓與射頻電壓一起形成復(fù)合電壓，如下圖所示。

同時，等離子刻蝕設(shè)備RIE150這些懸空鍵以 OH 基團的形式存在，從而形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。浸漬（有機）或無機堿退火后，表面Si-OH鍵脫水并會聚形成硅-氧鍵。這提高了晶體表面的潤濕性，使晶體成為可能。對于材料的直接鍵合，親水晶片表面在自發(fā)鍵合方面優(yōu)于疏水晶片表面。

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2、組織相容性：組織相容性是指機體組織與異物的相容程度，有兩層含義。一是機體對異物的反應(yīng)和影響。身體本能地排斥異物。即使無毒聚合物進入體內(nèi)，也會排斥異物，引起不同程度和不同時間的反應(yīng)。高分子材料的生物接受性的決定性因素首先是高分子材料本身的化學(xué)穩(wěn)定性，其次是其與生物組織的親和力。此外，要求材料對基材無不良影響，如引起炎癥、過敏、致畸反應(yīng)等。與組織相容性有關(guān)的對象是組織和細胞。

此類間隔物也稱為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，ON）間隔物。 0.18M時代，這個氮化硅側(cè)壁的應(yīng)力太高了。如果它很大，飽和電流會降低，泄漏會增加。為了降低應(yīng)力，需要將沉積溫度提高到700℃，這增加了量產(chǎn)的熱成本，也增加了泄漏。所以在0.18M時代，選擇了ONO的側(cè)墻。

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