本實用新型結構簡單，陶化后附著力不夠操作方便，機械手可以高效、快速地進行光等離子加工和去應力，大大降低應力。適用于提高生產效率和產量。這些包括設備平臺、樣品架、樣品等離子清洗站、樣品旋涂站和位于設備平臺上的樣品卸載機構、放置在樣品等離子清洗站上的用于清洗樣品的樣品架和等離子。
等離子體電離輻射的主要來源是等離子體中粒子，陶化后附著力不夠尤其是電子的運動變化。除了束縛電子之外，還有可以不斷改變動能的自由電子。當它與其他粒子碰撞或受到其他外部磁場的影響時，它的運動狀態(tài)會發(fā)生變化，并響應其能量狀態(tài)的變化而發(fā)出跳躍的電離輻射。等離子體電離輻射的研究對于大氣壓等離子體處理器具有重要意義。一方面，大氣壓等離子體處理器的電離輻射發(fā)射能量，造成等離子體能量的損失。
到達基板的電子一部分與離子復合，陶化后附著力不夠還有一部分剩余，從而在基板出現凈負電荷積累，這樣基板表面呈負電勢。該負電勢將排斥后續(xù)電子，同時吸引正離子。直到基板負電勢達到某個值，使離子流與電子流相等時為止。由于基板呈負電勢，則在基板與等離子體交界處形成一個由正離子構成的空間電荷層，即離子鞘層。等離子體分類按溫度分類：高溫等離子體和低溫等離子體。高溫等離子體是高于 00℃的等離子體，如聚變、太陽核心。
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