提高復(fù)合材料的表面涂層性能:復(fù)合材料的成型過程需要使用脫模劑，有機硅表面附著力以保證固化后能有效地與模具分離。然而，使用脫模劑難免會使復(fù)合材料膜表面殘留過量脫模劑，造成待涂表面的污染，界面層薄弱，使涂層在涂裝后容易脫落。傳統(tǒng)的清洗方法是用丙酮等有機(機)溶劑擦拭表面或打磨后清洗表面，以去除殘留在復(fù)合件表面的脫模劑。

首先，對有機硅表面的附著力真空泵開始抽吸等離子清洗室內(nèi)的空氣，在等離子清洗室內(nèi)形成真空環(huán)境。隨著氣體越來越稀薄，分子內(nèi)力越來越小，分子間距和分子或離子的自由運動距離越來越長。接下來，打開氬氣控制閥并用氬氣填充等離子清洗室。整個等離子清洗室充入氬氣，電極通電，氬氣在電場作用下碰撞，形成等離子分解離子。由氬等離子體產(chǎn)生的離子以足夠的能量與芯片表面碰撞，從而與有機和顆粒污染物發(fā)生反應(yīng)或碰撞，從而形成去除表面的揮發(fā)性物質(zhì)。

多系統(tǒng)技術(shù)可用于防止容易發(fā)生的半導(dǎo)體特性的電氣損壞和靜電問題。此外，對有機硅表面的附著力由于可以根據(jù)硅晶片的尺寸產(chǎn)生大氣壓等離子體，因此即使是最小的等離子體也可以使用。。一般來說，等離子清洗機的清洗過程可以分為兩個過程。一般來說，等離子清洗機的清洗過程可以分為兩個過程。過程 1 是首先使用等離子體原理去除有機物。當O在激活氣體分子后使用時，O3通過與有機物反應(yīng)達到去除有機物的目的。

表面清潔的解決方法，有機硅表面附著力采用射頻電源，在真空等離子體空腔中產(chǎn)生高能、無序等離子體，借助等離子轟擊被清理的設(shè)備表面，使表面的污染物從設(shè)備上脫落，從而達到清理目的。另外，還有一些特殊氣體，如四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)等，這些氣體在等離子表面處理器中的使用對有機物質(zhì)的蝕刻和去除更為重要。。

對有機硅表面的附著力

氧氣為高活性氣體，可有效地對有機污染物或有機基材外表進行化學(xué)分解，但其粒子相對較小，斷鍵和炮擊才能有限，如加上必定份額的氬氣，那么所發(fā)生的等離子體對有機污染物或有機基材外表的斷鍵和分解才能就會更強，加速清洗和活化的功率。氬氣與氫氣混合運用在打線和打鍵工藝中，除添加焊盤粗糙度外，還可以有效去除焊盤外表的有機污染物，一起對外表的細微氧化進行還原，在半導(dǎo)體封裝和SMT等職業(yè)中被廣泛運用。

由于氬分子的尺寸比較大，在表面清洗和活化過程中，在比較電離后產(chǎn)生的粒子后，通常會與活性氣體混合。最常見的是氬氣和氧氣的混合物。氧氣是一種高反應(yīng)性氣體，可以有效地化學(xué)分解有機污染物和有機基材表面，但其顆粒相對較小，破壞鍵和沖擊的能力有限。加入一定比例的氬氣，增加了生成的等離子體對有機污染物或基材表面的化學(xué)鍵和破壞的能力，加快了清洗和活化的效率。

等離子體制造商介紹鍺在集成電路中的潛在應(yīng)用及其刻蝕方法（下）：從筆者的認知來看，高活性蝕刻氣體的使用似乎更為關(guān)鍵，無論是氯氣的增加還是CHF3的使用都會加速金屬構(gòu)件的蝕刻。但轟擊偏壓的影響并不關(guān)鍵，除了關(guān)鍵尺寸的差異外，高低偏壓下的形貌差異并不明顯。

　　真空等離子清洗機的氣路操控首要由工藝氣體操控和真空氣路操控兩大部分組成。工藝氣體操控部分常用操控閥有真空電磁閥、止逆閥(止回閥)、氣動球閥。真空氣路操控部分常用操控閥有高真空氣動擋板閥、手動高真空角閥、電磁真空帶充氣閥。

有機硅表面附著力

在大氣壓等離子體處理機中，對有機硅表面的附著力等離子體的電子溫度僅為1～10eV，因此對電離輻射和復(fù)合電離輻射起主要刺激作用。激發(fā)態(tài)電離輻射是被激發(fā)態(tài)粒子轉(zhuǎn)移到被激發(fā)態(tài)原子的低激發(fā)態(tài)或基體態(tài)時的電離輻射。輻射躍遷前后，電子激發(fā)的電離輻射處于束縛態(tài)，電離輻射激發(fā)頻率由兩種能量的能量差決定?；旌想婋x輻射是指自由電子被離子俘獲，合成低價離子或中性離子發(fā)射電磁波的過程。電子在復(fù)合輻射躍遷過程中由自由態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槭`態(tài)。

現(xiàn)低溫等離子體廣泛應(yīng)用于多種生產(chǎn)領(lǐng)域。 在使用等離子去膠機（等離子清洗機）中，有機硅表面附著力我們都知道，去膠氣體為氧氣。把需要清洗的晶片放入真空等離子去膠機反應(yīng)系統(tǒng)中，受高頻及微波能量效果，電離發(fā)生氧離子、游離態(tài)氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體形成輝光柱。具有強氧化才能的游離態(tài)氧原子在高頻電壓效果下與光刻膠膜反應(yīng)，最終完成。