在均勻電暈中，電暈機(jī)陶瓷國(guó)內(nèi)代理離子和電子電流在一個(gè)射頻周期內(nèi)部分平衡，柵氧化電位很小。但在非均勻電暈中，局域電位不平衡會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生電流路徑，造成柵氧化層損傷。（3）電子遮蔽效應(yīng)（電極遮蔽效應(yīng)）。電暈中的電子比離子的方向性小也就是說(shuō)，電子的入射角分布比離子的入射角分布大，更容易被光刻膠屏蔽，正離子聚集在刻蝕前端對(duì)器件形成正電位。（4）反向電子遮蔽效應(yīng)。

真空電暈/蝕刻機(jī)的制造設(shè)備上裝有兩個(gè)金屬電極，電暈機(jī)陶瓷電極和鋁電極使密閉容器內(nèi)的兩個(gè)金屬電極產(chǎn)生電磁場(chǎng)。真空泵使氣體的真空度變薄，分子間的距離和分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離變長(zhǎng)，從而產(chǎn)生電暈。這些離子具有很高的活性，能量會(huì)破壞大部分化學(xué)鍵可以在任何暴露的表面上引起化學(xué)反應(yīng)。不同氣體的電暈具有很高的化學(xué)性質(zhì)。例如，氧電暈氧化性高，可以使電暈產(chǎn)生更好的清洗效果，具有更好的各向異性，符合腐蝕標(biāo)準(zhǔn)。

當(dāng)Vs>Vp時(shí)，電暈機(jī)陶瓷電極和鋁電極電極附近形成的電場(chǎng)會(huì)吸引電子，排斥離子。結(jié)果表明，電子密度大于離子密度(NE>Ni)。隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加，在離電極一定距離內(nèi)形成由電子組成的空間電荷層，即電子鞘層[圖1-2(b)]。圖1-2電極附近形成的電暈鞘層浮襯底處護(hù)套：當(dāng)電暈插入絕緣材料時(shí)，由于電流無(wú)法通過(guò)，到達(dá)絕緣體表面的帶電粒子或在表面彼此重新結(jié)合，或返回電暈區(qū)。

此外，電暈機(jī)陶瓷國(guó)內(nèi)代理由于工藝始終由人在潔凈室進(jìn)行，半導(dǎo)體晶圓不可避免地受到各種雜質(zhì)的污染。根據(jù)污染物的來(lái)源和性質(zhì)，大致可分為四類。氧化物暴露在氧氣和水中的半導(dǎo)體晶片表面會(huì)形成自然氧化層。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟，而且含有一些金屬雜質(zhì)，在一定條件下會(huì)轉(zhuǎn)移到晶圓上形成電缺陷。這種氧化膜的去除常通過(guò)在稀氫氟酸中浸泡來(lái)完成。有機(jī)質(zhì)有機(jī)雜質(zhì)來(lái)源廣泛，如人體皮膚油、細(xì)菌、機(jī)油、真空油脂、光刻膠、清潔溶劑等。

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處于電暈狀態(tài)的物質(zhì)有以下幾種：高速運(yùn)動(dòng)的電子；處于活化狀態(tài)的中性原子、分子和原子團(tuán)（自由基）；電離原子和分子；未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)作為一個(gè)整體保持電中性。

根據(jù)C2烴的選擇性，催化劑的活性順序?yàn)長(zhǎng)a2O3/Y-Al2O3>CeO2/Y-Al203&ASYMP；Pr2O11/Y-Al203>Sm203/Y-Al2O3>Nd203/Y-Al2O3。與鑭系催化劑對(duì)C2烴產(chǎn)率的影響相比，C2烴選擇性的順序基本一致。雖然La2O3/Y-Al2O3催化劑與電暈結(jié)合的甲烷轉(zhuǎn)化率較低，但由于C2烴的選擇性高于其他稀土催化劑，所以C2烴的產(chǎn)率高于其他稀土催化劑。

在電暈中，存在著以下物質(zhì)：處于高速運(yùn)動(dòng)過(guò)渡態(tài)的電子，處于激發(fā)過(guò)渡態(tài)的中性原子、分子和原子團(tuán)（自由基）；電離的原子、分子、分子解離反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的紫外線、未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)整體保持電中性。電暈清洗的機(jī)理主要依靠電暈中活性粒子的“活化”來(lái)去除物體表面的污漬。

電暈產(chǎn)生的電暈包括高活性的電子、離子和自由基。這些顆粒很容易與產(chǎn)品表面的污染物發(fā)生反應(yīng)，Zui最終會(huì)形成二氧化碳和水蒸氣排出，以增加表面粗糙度，清潔表面。電暈可以形成自由基清除產(chǎn)品表面的有機(jī)污染物，活化產(chǎn)品表面，旨在提高產(chǎn)品的附著力和表面附著力的可靠性和耐久性。還能清潔產(chǎn)品表面，提高表面親和力（滴角滴），增加涂層體附著力等效果。

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