電暈清洗涉及蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,電暈處理對金屬的影響完全滿足蝕刻技術(shù)后去除硅片表面殘留顆粒的清洗要求。電暈清洗法在蝕刻過程中,稻米顆粒的來源有很多:蝕刻氣體例如,C12、HBr、CF4等具有腐蝕性,硅片腐蝕后表面會產(chǎn)生一定數(shù)量的顆粒。反應(yīng)室的石英罩在電暈轟擊下也會產(chǎn)生石英顆粒;長時間蝕刻時反應(yīng)室內(nèi)襯也會產(chǎn)生金屬顆粒??涛g后硅片表面殘留的顆粒會阻礙導(dǎo)電連接,導(dǎo)致器件的損壞。因此,對刻蝕過程中顆粒的控制是非常重要的。。

電暈處理對金屬的影響

由柔性覆銅板(以下簡稱“柔性覆銅板”)制成的柔性印制電路在該領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。柔性覆銅板(FCCL)是由金屬導(dǎo)體材料和介質(zhì)基底材料通過膠粘劑粘合而成的復(fù)合材料。該產(chǎn)品可任意纏繞成軸狀而不折斷其中的金屬導(dǎo)體或介電基片。對于剛性覆銅板,金屬表面電暈處理設(shè)備即使很薄,其介電基體材料在外力彎曲時也容易斷裂。大多數(shù)撓性覆銅板的總厚度小于0.4mm,通常在0.04-0.25mm之間。

但不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。光刻膠的去除過程中常采用電暈清洗。在電暈反應(yīng)體系中引入少量氧氣,電暈處理對金屬的影響在強(qiáng)電場作用下,氧氣產(chǎn)生電暈,使光刻膠迅速氧化為揮發(fā)性氣體狀態(tài),抽走物質(zhì)。該清洗技術(shù)操作方便,效率高,表面清潔,無劃痕,有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量。而且它不需要酸、堿和有機(jī)溶劑,因此越來越受到人們的重視。。

3.氣體產(chǎn)生的自由基和離子具有很高的活性,金屬表面電暈處理設(shè)備其能量足以打破幾乎所有的化學(xué)鍵,在任何暴露的表面上引起化學(xué)反應(yīng)。電暈中粒子的能量一般在幾到幾十電子伏特左右,大于高分子材料的結(jié)合鍵能(幾到十電子伏特),可以完全打破有機(jī)大分子的化學(xué)鍵,形成新的鍵;但遠(yuǎn)低于高能放射性輻射,僅涉及材料表面,不影響基體性能。電暈可以通過直流或高頻交流電場產(chǎn)生。

金屬表面電暈處理設(shè)備

金屬表面電暈處理設(shè)備

同時對材料表面產(chǎn)生影響,可促使吸附在表面的氣體分子解吸或分解,也有利于引發(fā)化學(xué)反應(yīng);當(dāng)材料表面帶負(fù)電時,帶正電荷的離子會加速對其的沖擊,濺射效應(yīng)會去除附著在表面的顆粒狀物質(zhì);血漿中自由基的存在對清洗具有重要意義。由于自由基易與物體表面發(fā)生化學(xué)鏈?zhǔn)椒磻?yīng),產(chǎn)生新的自由基或進(jìn)一步分解,最后可能分解成易揮發(fā)的小分子;紫外線具有較強(qiáng)的光能和穿透能力,可穿透材料表面深達(dá)數(shù)微米,使附著在表面的物質(zhì)分子鍵斷裂分解。

考慮到對環(huán)境的影響、原材料的消耗以及未來的發(fā)展,干洗明顯優(yōu)于濕洗。其中,電暈清洗是發(fā)展較快且優(yōu)勢明顯的一種。電暈是指電離氣體,是由電子、離子、原子、分子或自由基組成的集合體。

相信在不久的將來,電暈清洗設(shè)備和技術(shù)將以其在健康、環(huán)保、效益、安全等諸多方面的優(yōu)勢逐步取代濕式清洗技術(shù),特別是在精密零件清洗、半導(dǎo)體新材料研究和集成電路器件制造等方面,電暈清洗具有廣闊的應(yīng)用前景。我們對電暈清洗技術(shù)進(jìn)行了一定程度的研究,希望能與各國同行就干洗技術(shù)進(jìn)行有益的探討和交流。。

運動動能和振動動能以溫和的方式加熱表面,解離和激發(fā)態(tài)產(chǎn)生的自由基在平移或振動中傳遞熱量。如果能量超過閾值,就可能引起濺射,并伴隨自由基團(tuán)簇的產(chǎn)生。除濺射過程外,電暈中的自由基是脫除碳?xì)浠衔锏闹匾蛩?。。很多客戶會詢問電暈設(shè)備的溫度,主要是擔(dān)心在處置產(chǎn)品或部件時,電暈設(shè)備表面會因電暈溫度過高而受損。

金屬表面電暈處理設(shè)備

金屬表面電暈處理設(shè)備

簡單來說,金屬表面電暈處理設(shè)備主動式清洗臺將多個晶圓一起清洗,優(yōu)點是設(shè)備成熟,生產(chǎn)率高,而單片晶圓清洗設(shè)備逐片清洗,優(yōu)點是清洗精度高,背面、斜面、邊緣都可以進(jìn)行有益清洗,一起防止晶圓之間的穿插污染。45nm之前,主動清潔臺可以滿足清潔要求,現(xiàn)在仍在使用;而45以下的工藝節(jié)點則依賴于單片晶圓清洗設(shè)備來滿足清洗精度要求。在工藝節(jié)點數(shù)量不斷減少的情況下,單片清洗設(shè)備是未來可預(yù)見技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。