多晶硅晶圓等離子體清洗設(shè)備的干式刻蝕法因其離子密度高、刻蝕均勻、刻蝕側(cè)壁垂直度高、表面粗糙度高等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工工藝中。隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，載玻片等離子體刻蝕對(duì)腐蝕的要求也越來(lái)越高。多晶硅晶圓等離子清洗設(shè)備滿足這一要求。設(shè)備穩(wěn)定性是保證生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定性和可重復(fù)性的關(guān)鍵因素之一。等離子清洗機(jī)是一種多功能等離子表面處理設(shè)備，可配備等離子、蝕刻、等離子化學(xué)反應(yīng)、粉末等等離子處理部件。

它們相互碰撞并形成等離子體，載玻片等離子體刻蝕等離子體是一種高度活性的離子，具有足夠的能量打破幾乎任何鍵。由于不同氣體的等離子體可以在任何暴露的表面上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，它們的化學(xué)性質(zhì)是不同的。例如，氧等離子體具有很強(qiáng)的氧化性，光刻技術(shù)可以與之反應(yīng)生成氣體。等離子體具有良好的各向異性，能夠滿足刻蝕的要求。

其他參數(shù)為:腐蝕溫度為:華氏150度;蝕刻功率:2200W;蝕刻時(shí)間取決于氣體流量比。比較孔壁的均勻性，載玻片等離子體刻蝕機(jī)器選擇腐蝕氣流的比例。由于清洗開(kāi)始時(shí)銅箔對(duì)層間環(huán)氧玻璃布影響不大，為了提高清洗速度，等離子體清洗的氣體比設(shè)為CF4: O2 0.5，總氣體量為900m/min。其他參數(shù):刻蝕溫度65.5℃(150F);刻蝕功率2200W;刻蝕時(shí)間6min。然后，利用上述實(shí)驗(yàn)得到的氣體比例，分兩階段刻蝕孔壁。

”因此，載玻片等離子體刻蝕日本政府的“指導(dǎo)方針”是先決條件。寫(xiě)在Z后面據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，1988年和1989年，日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其鼎盛時(shí)期占世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一半，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于歐美。日本在前10名中占據(jù)6席，NEC、東芝和日立位列第三。1989年，日本占全球芯片市場(chǎng)的51%，遠(yuǎn)高于美國(guó)的36%，而歐洲占11%，韓國(guó)僅占1%。但是，受到美國(guó)的攻擊后，日本半導(dǎo)體行業(yè)的狀況出現(xiàn)了惡化。

載玻片等離子體刻蝕

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因此，從某種意義上說(shuō)，正是IC封裝技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)著電子設(shè)備的不斷升級(jí)，推動(dòng)著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展。在線等離子清洗設(shè)備和生產(chǎn)技術(shù)在IC組裝水平內(nèi)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，并以其優(yōu)異的工藝性能推動(dòng)微電子工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，隨著現(xiàn)代高新技術(shù)的需要，在線等離子清洗技術(shù)將不斷開(kāi)發(fā)技術(shù)，提高產(chǎn)品性能，開(kāi)發(fā)更多的應(yīng)用領(lǐng)域。。等離子清洗后可以有效去除粘接區(qū)內(nèi)的各種污染物，提高粘接強(qiáng)度。

與樣品的化學(xué)反應(yīng)和物理反應(yīng)，都起著重要的作用，又相互促進(jìn)，離子轟擊使清洗表面的傷害減弱其化學(xué)鍵可能構(gòu)成的原子狀態(tài);離子的碰撞使被清洗材料受熱，使其更容易發(fā)生反應(yīng)。?優(yōu)點(diǎn):不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，清洗表面不留下氧化物，能保留待清洗物質(zhì)純度、腐蝕影響各向異性的缺陷:是對(duì)外觀的危害很大，可能會(huì)發(fā)生很多熱效應(yīng)，對(duì)各種清洗材料的外觀選擇性差，腐蝕速率低，化學(xué)反應(yīng)頻率- MHz。

等離子體清洗操作方法:保持清潔塊石英船,平行氣流方向,在兩個(gè)電極之間的真空室,真空1.3 Pa,獲得適當(dāng)?shù)难?堅(jiān)持-13年1.3 Pa真空室壓力,和高頻功率,產(chǎn)生薰衣草輝光放電電極之間,通過(guò)調(diào)度功率、流量等技術(shù)參數(shù)，可以得到不同的剝離率，當(dāng)膜到網(wǎng)時(shí)，發(fā)光。等離子清洗機(jī)脫膠的影響因素:1。頻率選擇:頻率越高，氧越容易電離形成等離子體。

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