* 引線(xiàn)鍵合前：芯片貼附在基板上并在高溫下固化后，引線(xiàn)框架plasma表面改性其上存在的污染物可能含有細(xì)小顆粒和氧化物。這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊接引線(xiàn)、芯片和基板發(fā)生物理和化學(xué)反應(yīng)。粘合強(qiáng)度不足或不足，粘合強(qiáng)度不足。引線(xiàn)鍵合前的等離子清洗顯著提高了其表面活性，提高了鍵合強(qiáng)度和鍵合線(xiàn)拉伸均勻性。

肉眼看不見(jiàn)的有機(jī)污染物會(huì)降低親水性，引線(xiàn)框架plasma表面改性但事實(shí)并非如此。它促進(jìn)銀膠和芯片粘貼，也可能導(dǎo)致貼片過(guò)程中的芯片粘連等問(wèn)題。等離子清洗設(shè)備的表面處理引入后，既可以形成清潔的表面，也可以使基材表面粗糙，達(dá)到提高親水性，減少銀膠的使用，節(jié)省成本和提高質(zhì)量的產(chǎn)品。在引線(xiàn)鍵合之前，芯片與基板貼合后，在固化過(guò)程中很可能會(huì)引入一些顆?；蜓趸?。質(zhì)量很差。一個(gè) LED 中有無(wú)數(shù)的電線(xiàn)。如果一根線(xiàn)沒(méi)有焊接牢固，整個(gè) LED 就會(huì)報(bào)廢。

等離子體在氣流的作用下到達(dá)待處理物體表面，引線(xiàn)框架plasma表面改性從而實(shí)現(xiàn)對(duì)三維物體表面的修飾。等離子表面處理技術(shù)是一種經(jīng)濟(jì)、安全、徹底的清洗方法。從處理過(guò)的基材表面去除污染物，而不影響主體材料的特性。等離子廣泛應(yīng)用于電路板行業(yè)，如PCB清洗前的三防漆和封裝時(shí)的引線(xiàn)框清洗。等離子處理與其他表面清潔技術(shù)相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。廣泛用于金屬、塑料、玻璃、陶瓷等材料。

芯片在耦合前經(jīng)過(guò)等離子清洗設(shè)備處理后很有可能提高支架表面粗糙度和親水性，引線(xiàn)框架等離子體蝕刻促進(jìn)銀膠流平和修補(bǔ)，同時(shí)減少銀膠用量。此外，等離子清洗技術(shù)顯著提高了引線(xiàn)連接前的表面活性，提高了粘合強(qiáng)度和拉力的均勻性，延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命。更完美。等離子預(yù)處理和清潔效果為印刷電路板行業(yè)（如 PCB）中的涂層操作創(chuàng)造了理想的表面條件。

引線(xiàn)框架plasma表面改性

提高各種材料和產(chǎn)品的穩(wěn)定性和壽命。等離子表面處理設(shè)備的近距離發(fā)光會(huì)在身體上引起灼燒感。因此，等離子束在加工材料時(shí)，不能接觸到材料。一般直噴等離子噴嘴與噴嘴的距離為50mm，旋轉(zhuǎn)等離子噴嘴與噴嘴的距離為30mm（視設(shè)備類(lèi)型而定）。為確保設(shè)備安全運(yùn)行，請(qǐng)使用 AC220V/380V 電源并妥善接地，確保氣源干燥、清潔。引線(xiàn)框架塑料封裝類(lèi)型仍占微電子 IC 封裝空間的 80% 以上。

銅引線(xiàn)框架的分層會(huì)導(dǎo)致 IC 封裝后的密封性能較差，同時(shí)會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)期脫氣。它還影響集成 IC 鍵合和引線(xiàn)鍵合的質(zhì)量，確保超清潔引線(xiàn)框架。是保證IC封裝的穩(wěn)定性和良率的關(guān)鍵。采用等離子表面處理裝置進(jìn)行處理。可以對(duì)引線(xiàn)框架表面進(jìn)行超級(jí)清潔和活化。與常規(guī)濕法清洗相比，成品率大大提高，且無(wú)廢水排放，可降低化學(xué)品采購(gòu)成本。 ..陶瓷產(chǎn)品的 IC 封裝通常在粘合、封蓋和密封區(qū)域使用金屬漿料印刷電路板。

例：從H2+e-→2H*+eH*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O反應(yīng)方程式可以看出，氫等離子體可以去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。 .化學(xué)反應(yīng)。物理清洗：表面反應(yīng)以物理反應(yīng)為主的等離子清洗。也稱(chēng)為濺射蝕刻 (SPE)。例：Ar + e- → Ar ++ 2e-Ar ++ 污染 → 揮發(fā)性污染 Ar + 在自偏壓或外加偏壓的作用下加速產(chǎn)生動(dòng)能，然后一般去除氧化物。清潔工件用于。

活化狀態(tài)；第二級(jí)O2、CF4為原始?xì)怏w，混合后產(chǎn)生0、F等離子體，與丙烯酸、PI、FR4、玻璃纖維等反應(yīng)，達(dá)到去污目的。..第 3 階段 使用 O2 作為原始?xì)怏w，產(chǎn)生的等離子體和反應(yīng)殘留物清潔孔壁。在等離子清洗過(guò)程中，除等離子化學(xué)反應(yīng)外，等離子火焰處理裝置的等離子還與材料表面發(fā)生物理反應(yīng)。等離子體粒子敲除材料表面上的原子或附著在材料表面上的原子。這有利于清潔和蝕刻反應(yīng)。

引線(xiàn)框架等離子體蝕刻

等離子專(zhuān)用清洗工藝主要是基于等離子濺射和蝕刻所帶來(lái)的物理和化學(xué)變化。在物理濺射過(guò)程中，引線(xiàn)框架plasma表面改性等離子體中高能離子的脈沖表面撞擊會(huì)導(dǎo)致表面原子的位移，在某些情況下，會(huì)導(dǎo)致表面下原子的位移，因此物理濺射不是選擇性的。在化學(xué)蝕刻過(guò)程中，等離子體中的反應(yīng)基團(tuán)可以與表面原子和分子發(fā)生反應(yīng)，并抽出產(chǎn)生的揮發(fā)物。

但隨著粒徑減小和比表面積增大，引線(xiàn)框架plasma表面改性超細(xì)AP粉體吸濕性強(qiáng)，易聚集，嚴(yán)重影響其作為推進(jìn)劑的應(yīng)用。用硝酸纖維素（NC）包覆AP降低了改性超細(xì)AP的吸濕性，有效解決了超細(xì)AP的聚集問(wèn)題。超細(xì)AP采用復(fù)合改性劑進(jìn)行改性，具有優(yōu)良的抗固結(jié)效果，有望應(yīng)用于工業(yè)。聚苯乙烯（PS）和十二氟庚基三甲氧基硅烷（FAS）包覆高氯酸銨，得到AP/PS/FAS復(fù)合膜。AP的吸濕性。