等離子體中的電子從電場中獲取能量，表面活化劑的實質作用轉化為自由的高能電子，與氣體中的原子和分子碰撞，產生激發(fā)和電離，產生激發(fā)分子，但原子、離子和自由基非常不穩(wěn)定.化學反應它具有很強的性質，容易發(fā)生通常不可能發(fā)生的反應，導致新化合物和加工材料失重。在此過程中，表面層被蝕刻以產生新的性能（例如減重、吸濕、加深、粘合等）或交聯(lián)、接枝和聚合。等離子氣體和普通氣體具有非常不同的性質。

低溫等離子體表面活化系統(tǒng)是一種對固體表面層進行處理的干洗方法，表面活化劑的實質作用新產品將潔凈的工作氣體活化成等離子體，然后與物體表面層接觸，形成有機化學或物理反應，達到實際的清洗效果。它是超凈領域的高端清洗，主要清洗非常細小的氧化性物質和污染物，通常是最后的清洗過程。

為了對比在等離子清洗機表面處理前后的親水效果，磷化常用的表面活化劑有我們挑選了片材、薄膜等幾種樣品進行了處理，相關數(shù)據(jù)如下：3-1純PTFE聚四氟乙烯片材等離子處理前后的水滴角對比3-2陶瓷填充PTFE聚四氟乙烯薄膜等離子處理前后的水滴角對比3-3石墨填充PTFE聚四氟乙烯薄膜等離子處理前后的水滴角對比。等離子體是由離子、電子和中性粒子組成的一種呈現(xiàn)電中性物質集合體。

等離子體清洗設備中氧等離子體對AlGaN/GaN HEMT表面處理的影響；氮化物（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，表面活化劑的實質作用以其良好的物理、化學和電學性能成為目前研究最多的半導體材料。它是繼第一代半導體材料硅（Si）和第二代半導體材料砷化物(GaAs)、磷化物（GaP）和磷化銅（InP）之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體材料。

表面活化劑的實質作用

plasma清洗設備氧等離子體對AlGaN/GaN HEMT表面處理的影響：寬禁帶半導體材料氮化稼(GaN)，以其良好的物理化學特性、電學特性成為目前研究多的半導體材料，它是繼一代半導體材料硅(Si)和第二代半導體材料砷化嫁(GaAs)、磷化嫁(GaP)、磷化銅(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體材料。

等離子體清洗機技術的典型應用有：半導體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦，鎵/銦鎵（InPingGaAs/InAlAs）；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅；鋁；鉻；鉑金；鉬；鈮；銦；鎢；氧化銦錫；鈦酸銦鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯；聚甲醛；聚苯并咪唑；聚醚醚酮；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。。

大氣直噴等離子體表面處理設備可與機械自動化生產線配套使用。在低溫等離子體中，由于各種元件具有高效能的活化作用，質量好的等離子體表面處理設備廠家可以去除附著在材料表面的污漬。。適合單晶硅晶圓級和3D芯片封裝應用。等離子體應用包括除灰、灰化/光誘導防腐劑/聚合物剝離、介質腐蝕、芯片膨脹、有機物去除和芯片脫模。

等離子清洗機就是通過利用這些活性組分的性質來處理樣品表面，從而實現(xiàn)清潔的目的； 等離子清洗機活化功能：當?shù)入x子體與被處理物體表面相遇時，使材料表面產生了化學變化和物理作用，其表面分子鏈結構得到了改變，建立了羥基、羧基等自由基團，這些基團對各種涂敷材料具有促進其粘合的作用，在粘合和油漆應用時得到了優(yōu)化。

磷化常用的表面活化劑有

環(huán)境工程污水的三種低溫等離子處理方法利用低溫等離子技術處理環(huán)境工程污水，磷化常用的表面活化劑有在高能電子發(fā)射、臭氧氧化、紫外線分解的綜合作用下，可以達到更好的處理效果。高能電子作用：冷等離子體技術在污水處理過程中產生大量高能電子。與廢水中的原子和分子碰撞，將能量轉化為基質分子的內能，通過激發(fā)、分解、電離等多個過程被激活。廢水。通過破壞廢水中的分子鍵并與游離氧和臭氧等反應物反應形成新化合物。

在大氣壓非平衡等離子體的作用下，表面活化劑的實質作用C2H6在CO2氣氛中進行氧化脫氫，生成C2H2和C2H4。以CeO2/Y-Al203為催化劑，在973K的反應溫度下可以進行CH6的脫氫，反應溫度和反應氣相比對反應結果影響較大。在等離子體和催化劑共活化CO2氧化C2H6時，催化劑性能對反應有明顯的影響。金屬氧化物催化劑有利于乙烷轉化為C2H2和C2H4，金屬催化劑可以提高產物中C2H4的比例。。